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J. Phys. Colloques
Volume 36, Numéro C3, Septembre 1975
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
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| Page(s) | C3-57 - C3-66 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975312 | |
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-57-C3-66
DOI: 10.1051/jphyscol:1975312
THE GROWTH OF TERNARY SEMICONDUCTOR CRYSTALS SUITABLE FOR DEVICE APPLICATIONS
R. S. FEIGELSONCenter for Materials Research Stanford University, Stanford, California 94305, USA
Résumé
En général, la croissance des cristaux de composés de type chalcopyrite I-III-VI2 et II-IV-V2 de qualité adaptée aux applications s'est avérée difficile. Dans certains cas, le problème réside dans l'impossibilité de produire des cristaux de taille suffisamment grande, dans d'autres, c'est la qualité même du cristal qui est inadéquate. On discute les techniques de synthèse et de croissance des composés chalcopyrite, ainsi que les facteurs de formation des défauts de croissance. Des exemples, tirés des expériences récentes de croissance de trois importants matériaux pour l'optique non linéaire, CdGeAs2, AgGaSe2 et AgGaS2, sont donnés.
Abstract
In general, the growth of I-III-VI2 and II-IV-V2 chalcopyrite-type crystals of suitable quality for device applications has been difficult. In some cases, the problem lies in not being able to produce large single crystal specimens, while in others the quality of the crystal is not adequate for the purposes intended. Techniques for both material synthesis and crystal growth of chalcopyrite compounds will be discussed along with factors which lead to the formation of growth defects. Examples from recent experiments on the growth of three important non-linear optical materials, CdGeAs2, AgGaSe2, and AgGaS2, will be given.