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J. Phys. Colloques
Volume 35, Numéro C7, Décembre 1974
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés au Colloque Dissociation des dislocations / Dissociation of dislocations
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| Page(s) | C7-121 - C7-127 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974713 | |
J. Phys. Colloques 35 (1974) C7-121-C7-127
DOI: 10.1051/jphyscol:1974713
EXPERIMENTAL METHODS FOR STACKING FAULT OBSERVATIONS AND ENERGY MEASUREMENTS.
OBSERVATION OF STACKING FAULTS BY X-RAY TOPOGRAPHY
A. AUTHIER Laboratoire de Minéralogie Cristallographie, Université P.-et-M.-Curie, 4, place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
Résumé
Après avoir brièvement rappelé les principes de la propagation des rayons X dans un cristal parfait et des techniques de topographies aux rayons X, on explique la formation de l'image d'une faute d'empilement et on montre comment ce défaut peut être complètement caractérisé. A titre d'exemple, on montre des fautes d'empilement dans un cristal de silicium contenant de l'oxygène et recuit à 1 200 °C.
Abstract
After briefly recalling the main principles of X-ray propagation in perfect crystal and of X-ray topographic techniques, one describes the formation of stacking fault images and shows how these faults can be fully characterized. An example is shown of stacking faults in silicon crystals annealed at 1 200 °C and which contained 5 × 1017 at/cm3 oxygen.