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J. Phys. Colloques
Volume 35, Numéro C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
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| Page(s) | C3-145 - C3-152 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974320 | |
J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-145-C3-152
DOI: 10.1051/jphyscol:1974320
EXCITON PIÉGÉ PAR UNE PAIRE DONNEUR-ACCEPTEUR DANS UN SEMICONDUCTEUR
B. STÉBÉ1 and G. MUNSCHY21 Laboratoire de Physique des Milieux Condensés, Faculté des Sciences, Université de Metz, 57000 Metz, France
2 Laboratoire Pierre-Weiss, Institut de Physique, Université Louis-Pasteur, 67084 Strasbourg-Cedex, France
Résumé
L'étude du système composé d'un exciton (X) et d'une paire donneur-accepteur (D+, A-) dans l'approximation de masses effectives et d'interactions coulombiennes montre qu'il existe une valeur critique R0 de la distance donneur-accepteur en dessous de laquelle il n'y a pas de liaison stable. Des bornes supérieure et inférieure sont assignées à cette distance critique en fonction des masses effectives de l'électron et du trou. L'influence des effets de polarisation électronique et ionique est aussi examinée. Les résultats obtenus sont comparés aux données expérimentales dans le cas de ZnSe(In-Li).
Abstract
An exciton (X) bound to a donor-acceptor pair (D+, A-) is studied in the approximation of effective masses and coulombic interactions, and it is shown that there is a critical value R0 of the donor-acceptor separation below which stable binding does not occur. Upper and lower limits of this critical separation are defined as functions of the electron and hole effective masses. The influence of additional electronic and ionic polarization effects is also considered. The results obtained are compared to the experimental data available for ZnSe(In-Li).