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J. Phys. Colloques
Volume 35, Numéro C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
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| Page(s) | C3-67 - C3-75 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974311 | |
J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-67-C3-75
DOI: 10.1051/jphyscol:1974311
ÉTUDE DES NIVEAUX D'IMPURETÉ ASSOCIÉS AUX MINIMA SUPÉRIEURS DE LA BANDE DE CONDUCTION DANS QUELQUES COMPOSÉS II-VI
J. CAMASSEL, D. AUVERGNE and H. MATHIEUCentre d'Etudes d'Electronique des Solides, USTL 34060 Montpellier - Cedex, France
Résumé
On étudie sur plusieurs composés II-VI cristallisant dans la structure de la blende (ZnTe, ZnSe, ZnS et CdTe) l'évolution des pics de réflexion ou de transmission différentielle associés au seuil d'absorption fondamentale ou à des niveaux profonds de la bande interdite. L'étude du coefficient de température associé à chaque transition dans la gamme de température 80-300 K permet d'établir dans plusieurs cas leur association avec un deuxième minimum de la bande de conduction. Dans ce cas l'étude expérimentale des spectres de transitions interbandes et de leur coefficient de température permet de préciser parmi les deux minima X et L de la bande de conduction celui auquel le niveau considéré est associé.
Abstract
One studies on several cubic II-VI compounds (ZnTe, ZnSe, ZnS and CdTe), the temperature dependence of differential reflection and transmission spectra associated to the fundamental edge and to deep levels in the forbidden gap. Studies of temperature coefficients in the 80-300 K range, permits one to associate the impurity levels to the different minima of the conduction band. Careful investigation of interband transitions permit an accurate attribution to X or L conduction band minimum.