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J. Phys. Colloques
Volume 34, Numéro C5, Novembre 1973
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUEIMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION |
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| Page(s) | C5-141 - C5-143 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973528 | |
IMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION
J. Phys. Colloques 34 (1973) C5-141-C5-143
DOI: 10.1051/jphyscol:1973528
ÉTUDE EXPÉRIMENTALE DE L'ARSENIC IMPLANTÉ DANS LE SILICIUM
J. L. ASSEMAT, B. PRUNIAUX and J. M. LAGORSSELTT, 78702 Conflans-Sainte-Honorine, France
Résumé
Nous avons étudié les caractéristiques électriques de couches arsenic implanté dans du silicium en suivant l'évolution de la résistance de couche et de l'activité électrique lors de recuits isochromes. Les variations du profil de concentration ont été mesurées à la sonde ionique en fonction de la dose implantée et du recuit. Les implantations ont été réalisées à une énergie de 50 keV, ou 140 keV pour des doses variant de 2 × 1015 à 6 × 1015 at/cm2.
Abstract
We studied the electrical characteristics of arsenic implanted layers in silicon by following their sheet resistance and electrical activity as a function of isochronal anneals. Concentration profiles have been measured by the ion microprobe for various implanted doses and anneal temperatures. The implants were performed at energies of 50 keV and 140 keV for doses ranging from 2 × 1015 to 6 × 1015 at/cm2.