Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 34, Numéro C5, Novembre 1973
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
IMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION
Page(s) C5-139 - C5-139
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973527
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
IMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION

J. Phys. Colloques 34 (1973) C5-139-C5-139

DOI: 10.1051/jphyscol:1973527

UTILISATION DE L'IMPLANTATION IONIQUE DANS LES TECHNOLOGIES MOS

J. BERNARD and G. GUERNET

CEA-CENG/LETI, Laboratoire de Microélectronique, France


Résumé
L'implantation ionique, technique de dopage originale, s'est affirmée dans le domaine de la technologie MOS où elle est devenue un processus industriel. A partir des caractéristiques de cette technique, on dégagera les méthodes qui permettent de pallier différentes limitations de la technologie MOS classique (recouvrement grille drain, rapport tension de seuil oxyde épais - tension de seuil oxyde lin) et on montrera les applications originales qu'il est possible d'envisager avec l'implantation ionique. Des exemples de technologies seront présentés (technologie déplétion-enrichissement à canal P, technologie MOS complémentaire sur substrat isolant) précisant les possibilités de l'implantation ionique tant au niveau de la structure des circuits intégrés réalisés que des performances atteintes.