ACCÉLÉRATION DE DIFFUSION SOUS IRRADIATION IONIQUE

Résumé
On a étudié l'accélération de diffusion d'atomes de nickel et de cuivre introduits par implantation sous forme d'ions Ni⁺ et Cu⁺ de 500 keV dans des monocristaux de cuivre et d'aluminium. On a mesuré les profils de concentration à l'aide d'un analyseur ionique et on a comparé l'évolution observée des profils en fonction de la température d'irradiation avec les prévisions théoriques. Un bon accord est apparu entre les profils théoriques d'implants et les profils relevés sur les échantillons irradiés à l'ambiante. On a mis en évidence une accélération de la diffusion sur les profils de concentration obtenus à chaud. Elle est de 10³ dans le cas Ni/Cu à 350°C et de 10² dans le cas Cu/Al à 200°C pour un taux instantané de production de défauts de 2 × 10^-3 dpa/s.

Abstract
We have investigated the enhancement diffusion for nickel and copper atoms implanted as Ni⁺ and Cu⁺ ions (500 keV) in single crystals copper and aluminium. The concentration profiles were determined by means of an ion analyser and the evolution as function of irradiation temperature was compared to theoretical predictions. The agreement is good for irradiation at room temperature. An enhancement of diffusion was observed for higher temperature by 10³ for nickel/copper at 350°C and by 10² for copper/aluminium at 200°C. The production rate of defect was 2 × 10^-3 dpa/s.