ÉTUDE PAR CANALISATION DES DÉFAUTS CRÉÉS PAR IMPLANTATION DANS LE ZnTe

Résumé
Après avoir donné les valeurs de l'angle critique et du rendement minimum à 300 K et à 77 K, on étudie l'évolution en fonction de la dose du dommage créé à 300 K par des implantations d'Argon de 120 keV. On note une augmentation brutale du taux de création de défauts à partir de 3 × 10¹⁴ ions/cm². Pour des doses plus élevées on n'atteint pas le niveau random. Ceci peut s'expliquer par une migration des défauts à température ambiante. Des analyses à 77 K n'ont pas permis de vérifier cette hypothèse. Par contre, elles mettent en évidence un phénomène de pulvérisation superficiel. Sur des échantillons implantés à l'aide de Bore (50 keV), on met en évidence un premier stade de recuit à 350°C (recuits isochrones de 300°C à 750°C).

Abstract
Lattice disorder is studied in ion implanted ZnTe as a function of dose and anneal temperature by 2 MeV alpha channeling effect measurement. Critical angles and minimum yields have been measured at 300 K and 77 K. For 120 keV argon implantations at 300 K a rapid increase of damage occurs at a dose of about 3 × 10¹⁴ ions/cm² but the random level is not reached. A defect migration at room temperature may explain this. Analyses at 77 K have not verified this assumption. Besides we observed a target sputtering. Isochronal annealing of damage induced in ZnTe by 50 keV Boron implantations is also studied. A first annealing stage is found at 350°C.