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J. Phys. Colloques
Volume 33, Numéro C3, Mai-Juin 1972
"PERSPECTIVES DE CALCUL DE LA STRUCTURE ÉLECTRONIQUE DES SOLIDES ORDONNÉS ET DÉSORDONNÉS"
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| Page(s) | C3-273 - C3-276 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1972342 | |
J. Phys. Colloques 33 (1972) C3-273-C3-276
DOI: 10.1051/jphyscol:1972342
A PSEUDOPOTENTIAL APPROACH TO THE ELECTRONIC STRUCTURE OF III-IV LAYER-COMPOUNDS
M. SCHLÜTEREcole Polytechnique Fédérale de Lausanne, Switzerland
Résumé
Nous avons calculé la structure de bandes du β-GaSe par la méthode du pseudopotentiel. Ce calcul tridimensionnel permet d'estimer la grandeur du couplage entre les couches. Les masses effectives des électrons et des trous ainsi obtenues ne montrent pas une anisotropie prononcée. Le seuil d'absorption dans ce composé correspond aux transitions indirectes entre les états Ɖ4 et M+3. Le gap direct se trouvant environ 50 MeV au-dessus du gap indirect correspond aux états Ɖ4 et Ɖ+3. La forte anisotropie de l'absorption optique que l'on observe expérimentalement est ainsi bien expliquée.
Abstract
The bandstructure of hexagonal β-GaSe has been established using the semiempirical pseudopotential method. The three-dimensional calculations allow to estimate the strength of the interlayer coupling. Effective masses have been calculated for electrons and holes. They do not show a pronounced anisotropy. The absorption edge in this material corresponds to indirect transitions between the states Ɖ-4 and M+3. A direct gap about 50 MeV above the indirect one is given by the states Ɖ-4 and Ɖ+3. The effect on optical absorption measurement due to a change in the polarisation of light is well explained by this assignment.