| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 32, Numéro C1, Février 1971
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la 7ème CONFÉRENCE INTERNATIONALE DE MAGNÉTISME 1970
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C1-335 - C1-337 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19711112 | |
J. Phys. Colloques 32 (1971) C1-335-C1-337
DOI: 10.1051/jphyscol:19711112
POUVOIRS THERMOÉLECTRIQUES D'ALLIAGES DILUÉS DU NICKEL ET DU COBALT AVEC DES ÉLÉMENTS DE TRANSITION
M. C. CADEVILLE and J. ROUSSELLaboratoire de Physique des Solides, Institut de Physique, 67, Strasbourg, France
Résumé
Les pouvoirs thermoélectriques (P. T. E.) d'alliages dilués du nickel et du cobalt avec des éléments des trois premières séries de transition ont été mesurés dans deux domaines de température : de 1,2 à 4,2 °K et de 77 à 300 °K. Aux basses températures, le P. T. E. mesuré (S0) est proportionnel à la température et généralement, indépendant de la concentration en impuretés ; on détermine ainsi le P. T. E. associé à l'impureté seule : S0/T. Aux températures suffisamment élevées (contribution du "phonon-drag" négligeable) le P. T. E. varie encore linéairement avec la température mais dépend fortement de la concentration. On utilise cette dépendance en concentration à une température donnée (295 °K) pour analyser les données expérimentales dans un modèle de conduction à deux bandes indépendantes sσ (σ = ↑, ↓). Ce modèle néglige toute variation de la structure électronique des impuretés avec la température. On en déduit, les P. T. E. et les résistivités associés à chaque bande sσ à la fois pour la matrice et pour l'impureté. Les résultats obtenus confirment le schéma d'état lié virtuel s"up"d"up" déjà proposé pour ces alliages à partir des mesures d'aimantation et de résistivité.
Abstract
Thermoelectric power (T. E. P.) measurements of dilute alloys of nickel and cobalt with transition elements have been carried out in two temperature ranges : between 1.5 and 4.2 °K, and between 77 and 300 °K. At low temperatures, the measured T. E. P. (S0) is proportionnal to the temperature, and generally independent of the impurity concentration ; the T. E. P. araising from the impurity alone (S0/T) is deduced. At sufficiently high temperatures (phonondrag contribution is negligible) the temperature dependence of T. E. P. is still linear, but depends on concentration. We used this concentration dependence at 295 °K to analyse the experimental data in an independent two-band conduction model, assuming as negligible the variation of impurity electronic structure with temperature. The T. E. P. and resistivities associated with each band "sσ" for the matrix and the impurity are deduced. The obtained results check the previous model and the "s"up"d"down"" virtual bound state scheme.