ON THE ELECTRICAL ACTIVITY OF THE ((-1)11)-(1(-1)2) STEPS IN THE SILICON Σ = 3 TWIN BOUNDARY

J.-L. MAURICE

doi:doi:10.1051/jphyscol:1990191

Issue		J. Phys. Colloques Volume 51, Number C1, Janvier 1990 Proceeding of the International Congress Intergranular and Interphase Boundaries in materials


Page(s)		C1-581 - C1-586
DOI		https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990191

J. Phys. Colloques 51, C1-581-C1-586 (1990)
DOI: 10.1051/jphyscol:1990191

ON THE ELECTRICAL ACTIVITY OF THE ([MATH]11)-(1[MATH]2) STEPS IN THE SILICON Σ = 3 TWIN BOUNDARY

J.-L. MAURICE

Laboratoire de Physique des Matériaux, CNRS, 1 Place A. Briand, F-92195 Meudon, France

Abstract
Des mesures de courant induit par faisceau d'électrons (EBIC) dans un microscope électronique à balayage, ont été réalisées sur des marches ((-1)11) - (1(-1)2) de la macle Σ = 3 du silicium. Les deux plans d'interface ainsi que les deux types de dislocations qui les séparent ne présentent fréquemment aucune activité électrique détectable. Une telle activité apparaît cependant quand la densité de marches est élevée. La microscopie électronique en transmission (TEM) montre alors que des nano-précipités décorent une grande proportion des dislocations formant les arêtes des marches.

Abstract
Electron beam induced current (EBIC) measurements in the scanning electron microscope have been performed on a Σ = 3 twin boundary with ((-1)11) - (1(-1)2) steps in silicon. The two interface planes, together with the two different dislocations at their intersections, frequently show no detectable electrical activity. Such an activity however appears when the step density is high. In this case, transmission electron microscopy (TEM) shows that a large proportion of the step dislocations is decorated by nano-precipitates.