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J. Phys. Colloques
Volume 51, Number C1, Janvier 1990
Proceeding of the International CongressIntergranular and Interphase Boundaries in materials |
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| Page(s) | C1-121 - C1-125 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990117 | |
DOI: 10.1051/jphyscol:1990117
INTERFACE JUNCTIONS AND SIMMETRY
E.G. DONI1, PH. KOMNINOU1, G.L. BLERIS1, TH. KARAKOSTAS1 et P. DELAVIGNETTE21 Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, GR-540 06 Fhessaloniki, Greece
2 Service de Physique des Surfaces, Université Libre de Bruxelles, C.P. 234, Bd du Triomphe, B-1050 Bruxelles, Belgique
Abstract
Des jonctions triples de haute symétrie sont examinées par MET dans le silicium. Les propriétés de symétrie des grains et de leurs interfaces sont étudiées sur base du modèle de CSL. Des jonctions de flexions suivant 110 de type Σ(3,3,9), Σ(3,9,27a), et Σ(3,27a,81d) sont examinées ; elles contiennent toutes une Σ=3 avec interface {111}. La relation des interfaces avec les CSL et la symétrie des jonctions triples est analysée en details.
Abstract
High symmetry triple junctions in polysilicon observed by TEM are presented. The symmetry properties of their grains and interfaces are studied with the use of the CSL model. The examples concern triple junctions of 110 tilt boundaries with the CSL configurations of Σ(3,3,9), Σ(3,9,27a) and Σ(3,27a,81d). In all the cases the Σ=3 twin with interface the {111} plane is at least one of the components. The connection of the interfaces with the CSLs and the symmetry of the triple junction is analytically discussed.