Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
|
|
---|---|---|
Page(s) | C1-9 - C1-14 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982102 |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-9-C1-14
DOI: 10.1051/jphyscol:1982102
GRAIN BOUNDARIES ANALYSIS IN POLYCRYSTALLINE SILICON BY TEM
F. Komninou, Th. Karakostas, G.L. Bleris et N. A. EconomouPhysics Department, Aristoteles University, Thessaloniki, Greece
Résumé
Des interfaces de Si polycristallin ont été examinées en utilisant le modèle CSL. La relation de rotation de chaque bicristal a été analysée par la technique du système instrumental et la description du petit angle a été apliquée pour la caractérisation des CSL du Si. Le plus souvent, on observe des Σ = 3 joints de macles cohérents ou incohérents, les derniers étants cohérents dans le sens microscopique. Des cas des joints de grains multiples ont ete examinés également et des relations entre eux pour CSL avec Σ > 3 ont été établies. Un exemple intéressant est le Σ = 39 qui se forme par combinaison du Σ = 13b avec Σ = 3 et c'est un CSL triclinique sans opération de rotation de 180°. Les résultats qu'on présente ici justifient l'utilisation du modèle CSL à la description des interfaces du Si polycristallin.
Abstract
Polycrystalline Si interfaces were examined within the CSL's approach . The rotation relationship of every bicrystal has been analyzed with the technique of the instrumental system and the small angle description has been used for the CSL characterization.The most frequently occuring descriptions are CSL's Σ = 3 coherent and incoherent twins, the later being microscopically coherent. Cases of multiple boundaries were also examined and interelations were found between low or high angle boundaries for CSL's with Σ > 3. A special case of interest is a Σ = 39 CSL which i s formed from a combination of Σ = 13b and Σ = 3 and is a triclinic CSL lacking 180° rotational operations. The results presented indicate that for polycrystalline Si the CSL model could be used in describing the interfaces occuring.