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J. Phys. Colloques
Volume 51, Number C1, Janvier 1990
Proceeding of the International CongressIntergranular and Interphase Boundaries in materials |
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| Page(s) | C1-103 - C1-108 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990114 | |
DOI: 10.1051/jphyscol:1990114
COMPUTATION OF STRUCTURE AND ENERGY OF THE Σ3 (21(-1)) TILT BOUNDARY IN SILICON
M. CHEIKH, A. HAIRIE, F. HAIRIE, G. NOUET et E. PAUMIERLaboratoire d'Etudes et de Recherches sur les Matériaux, CNRS URA 1317, Institut des Sciences de la Matière et du Rayonnement, Boulevard du Maréchal Juin, F-14032 Caen Cedex, France
Abstract
On compare entre elles differentes determinations expérimentales et théoriques du vecteur de translation [MATH] du joint de grains de flexion Σ3 (21[MATH]) dans le silicium. Un calcul utilisant le potentiel de Keating donne un vecteur [MATH] et une structure atomique en très bon accord avec le calcul de liaison forte de Paxton et Sutton et avec les déterminations expérimentales de Bourret et al. sur le germanium. Cela confirme la validité du modèle de Papon et Petit pour la structure atomique de ce joint de grains.
Abstract
Different experimental and theoretical determinations of the rigid body translation [MATH] in the Σ3 (21[MATH]) tilt grain boundary in silicon are compared. A calculation using Keating's potential gives a [MATH] vector and an atomic structure in very good agreement with Paxton and Suttont's tight binding calculation and with experimental determinations on germanium by Bourret et al. This confirms the validity of Papon and Petit's model for the atomic structure of this grain boundary.