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J. Phys. Colloques
Volume 51, Numéro C1, Janvier 1990
Proceeding of the International CongressIntergranular and Interphase Boundaries in materials |
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| Page(s) | C1-457 - C1-462 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990171 | |
DOI: 10.1051/jphyscol:1990171
ELECTRICAL PROPERTIES OF COBALT DOPED SILICON BICRYSTALS
P. DAMECOURT et G. NOUETLaboratoire d'Etudes et de Recherches sur les Matériaux, CNRS URA 1317, Institut des Sciences de la Matière et du Rayonnement, Boulevard du Maréchal Juin, F-14032 Caen Cedex, France
Abstract
Les propriétés électroniques de bicristaux de silicium dopés au cobalt ont été étudiées par spectroscopie des transitoires des niveaux profonds en utilisant la capacité du joint de grains. Les bicristaux ont l'orientation Σ 25. Après dépôt d'une couche de cobalt les échantillons sont recuits et refroidis soit lentement soit par trempe. Les conditions de refroidissement sont les paramètres les plus importants et modifient fortement les spectres DLTS obtenus qui montrent des pics discrets ou des continuums étroits.
Abstract
Electronic properties of cobalt doped silicon bicrystals have been investigated by a modified deep level transient spectroscopy using the capacitance of the charged grain boundary. The geometric characteristics are Σ 25, 16°26 <001>, grain boundary plane {710} and a doping of 3.6 1014 phosphorus atom.cm-3. Cobalt diffusion times (15, 30 and 60 mn) are followed by two types of cooling : i) quenching with cooling rate of about 20°C/s ; ii) slow cooling down to 750°C and quenching with approximately the same cooling rate. These different thermal treatments result in a wide variety of spectra characterized by several peaks. Comparison with samples without cobalt is given.