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J. Phys. Colloques
Volume 50, Number C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-773 - C5-778 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989593 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-773-C5-778
DOI: 10.1051/jphyscol:1989593
THIN SOLID FILMS OF OXIDES, TIO2, FE2O3, AND SnO2, PREPARED BY ORGANOMETALLIC
WENXIU LUO et ZHONGKE TANQingdao Institute of Chemical Technology, P.R. China
Résumé
Des films minces de TiO2, Fe2O3, SnO2 ont été préparés par CVD à partir d'organométalliques. La structure et les caractéristiques de ces films ont été déterminées par diffraction X, microscopie électronique, diffraction électronique et absorption UV. Le comportement photoélectrochimique de ces dépôts sur monocystal de silicium est également mentionné.
Abstract
Thin oxide films of TiO2, Fe2O3n, and SnO2, have been prepared by the organometallic chemical vapor deposition (MO-CVD) technique. The structure and character of these oxide films were determined by X-ray diffraction, electron microscopy, electron diffraction and UV absorption. These properties are reported. The photoelectrochemical behavior of these films on silicon single crystals as electrodes are also reported.