| Issue |
J. Phys. Colloques
Volume 50, Number C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-557 - C5-563 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989565 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-557-C5-563
DOI: 10.1051/jphyscol:1989565
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TaSi2 AND WSi2 AT ATMOSPHERIC PRESSURE FROM IN SITU PREPARED METAL CHLORIDES
E. BLANQUET1, C. VAHLAS1, C. BERNARD1, R. MADAR2, J. PALLEAU3 et J. TORRES31 I.N.P.G., ENSEEG, L.T.P.C.M., BP. 75, F-38402 St Martin d'Hères, France
2 I.N.P.G., ENSPG, L.M.G.P., BP.46, F-38402 St Martin d'Hères, France
3 C.N.E.T., CNS, chemin du Vieux Chêne, BP. 98, F-38243 Meylan, France
Résumé
Les conditions expérimentales optimales de dépôt CVD de TaSi2 et WSi2 ont été définies à l'aide de calculs thermodynamiques préalables. Ces résultats ont été utilisés, en premier lieu, dans le cadre d'une étude expérimentale du dépôt chimique en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD) de siliciures de tantale à partir de chlorures métalliques créés in situ. Le procédé expérimental et les dépôts obtenus sont compatibles avec la technologie VLSI.
Abstract
Optimum conditions for CVD of TaSi2 and WSi2 films were defined from thermodynamic calculations. These data were used as guidelines for the experimental investigation of the CVD of tantalum silicides at atmospheric pressure. The deposition process and the deposited films were found to be compatible with requirements for VLSI technology.