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J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-217 - C4-221 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988445 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-217-C4-221
DOI: 10.1051/jphyscol:1988445
HIGH PERFORMANCE SCHOTTKY DIODE AND FET ON InP
S. LOUALICHE, A. GINOUDI, H. L'HARIDON, M. SALVI, A. LE CORRE, D. LECROSNIER et P.N. FAVENNECCentre National d'Etudes des Télécommunications LAB/OCM/TOH, BP 40, F-22301 Lannion Cedex, France
Résumé
Une diode Schottky de très haute qualité a été réalisée sur InP de type n en utilisant un traitement de surface original. Cette diode atteint des tensions de claquage de 60 V et le courant de fuite reste inférieur à 1 µA à 30 V. Le meilleur dispositif a un courant de fuite de 0.2 nA à - 1 V et une hauteur de barrière de 0.7 eV. Cette Schottky a été utilisée pour la fabrication de transistors à effet de champ (FET) par CBE et implantation ionique. Une transconductance de 140 mS/mm a été mesurée sur un transistor de 3 µm de grille.
Abstract
A high performance Schottky diode has been realized on InP by a special surface treatment. The diode reaches a breakdown voltage of 60 V and the reverse current remains at 0.6 µA for 30 V reverse voltage. The best device shows a reverse current of 0.2 nA at 1 V voltage with an ideality factor of 1.54. The Schottky has been used as a gate in the fabrication of FETs on InP by ion implantation and CBE. A transconductance of 140 mS/mn has been obtained on a 3 µm gate length FET in the frist experimental trial without any optimisaton.