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J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-157 - C4-160 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988431 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-157-C4-160
DOI: 10.1051/jphyscol:1988431
SPATIAL DISTRIBUTION OF 1/f NOISE SOURCE
L.K.J VANDAMMEFaculty of Electrical Engineering, Eindhoven University of Technology, NL-5600 M.B. Eindhoven, The Netherlands
Résumé
Le bruit en 1/f a été étudié dans des résistances silicium type n dans des conditions d'accumulation et de déplétion. Les résultats sont interprétés en termes de phénomènes de volume et ils sont caractérisés par le paramètre α de Hooge avec des valeurs comprises entre 10-7 et 10-5. La valeur de α pour la conduction en surface en régime d'accumulation peut être au moins un ordre de grandeur plus grande que la valeur pour une conduction loin de la surface.
Abstract
The 1/f noise of on n-type silicon resistor has been studied under conditions ranging from accumulation to depletion at 300K. The experimental results are interpreted in terms of a bulk phenomenon and are characterized by Hooge's empirical 1/f noise parameter α with values between 10-7 and 10-5. The α-value for surface conduction at strong accumulation can be at least one order of magnitude larger than the value for bulk conduction.