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J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-93 - C4-96 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988419 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-93-C4-96
DOI: 10.1051/jphyscol:1988419
CNET/CNS, BP 98. Chemin du Vieux Chêne, F-38243 Meylan Cedex, France
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-93-C4-96
DOI: 10.1051/jphyscol:1988419
AN IMPROVED FULLY CMOS COMPATIBLE BIPOLAR STRUCTURE
A. GÉRODOLLE, G. GIROULT, S. MARTIN et A. NOUAILHATCNET/CNS, BP 98. Chemin du Vieux Chêne, F-38243 Meylan Cedex, France
Résumé
Une technologie bipolaire compatible CMOS étudiée au CNET a été simulée par le programme TITAN 5. Pour diminuer la résistance collecteur, une méthode incluant la formation de tranchées à fond perméable a été imaginée. La simulation process permet d'étudier l'intérêt d'une telle technique.
Abstract
A fully CMOS compatible bipolar technology is studied. 2-D process simulations of the device have been carried out before wafer processing ; comparisons of the results with experiments are presented. A new idea for making the collector, without standard epitaxy of a highly doped buried layer, is described. The 2-D simulation results enable the advantages to be checked with regard to the classical approach.