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J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-621 - C4-624 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884129 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-621-C4-624
DOI: 10.1051/jphyscol:19884129
1 LAAS du CNRS, 7, Av. du Colonel Roche, F-31077 Toulouse Cedex, France
2 Faculté de Sciences, Oujda, Maroc
3 MOTOROLA Semiconducteurs, Le Mirail, BP 1029, F-31023 Toulouse Cedex, France
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-621-C4-624
DOI: 10.1051/jphyscol:19884129
POWER MOS FET MODELS FOR "SWITCHING" CIRCUITS
P. ROSSEL1, R. MAIMOUNI2, M. BELABADIA1, H. TRANDUC1, C.E. CORDONNIER3 et M. BAIRANZADE31 LAAS du CNRS, 7, Av. du Colonel Roche, F-31077 Toulouse Cedex, France
2 Faculté de Sciences, Oujda, Maroc
3 MOTOROLA Semiconducteurs, Le Mirail, BP 1029, F-31023 Toulouse Cedex, France
Résumé
Un modèle compact du transistor VDMOS de puissance, compatible avec le logiciel "SPICE2", est proposé En tant qu'applications, le transistor est "simulé" en régime de commutation sur des charges résistives et inductives et les résultats obtenus sont validés par des mesures expérimentales.
Abstract
A compact model of the Power VDMOS Transistor compatible with the circuit simulator "SPICE2" is described in this article. This model is applied to the simulation of switching circuit with resistive and inductive loads ; comparisons with experimental results are presented.