| Issue |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
|
|---|---|---|
| Page(s) | C4-567 - C4-570 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884119 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-567-C4-570
DOI: 10.1051/jphyscol:19884119
REAL-SPACE TRANSFER IN HETEROJUNCTION FET's : MONTE-CARLO SIMULATION AND ANALYTICAL MODEL
M. MOUIS, F. PAVIET-SALOMON, P. DOLLFUS et R. CASTAGNÉInstitut d'Electronique Fondamentale, CNRS-UA 22, Université Paris-Sud, F-91405 Orsay Cedex, France
Résumé
Nous analysons les résultats d'une simulation Monte-Carlo du NERFET, dispositif à effet de champ où le transfert spatial des électrons du canal au dessus d'une hétérojonction permet d'obtenir un effet de résistance différentielle négative (RDN) sur le courant de drain. Sur la base de cette simulation, nous établissons une expression analytique du courant de transfert spatial. Les résultats obtenus sont en bon accord avec les résultats de la simulation Monte-Carlo sans qu'il soit nécessaire d'introduire de paramètre ajustable.
Abstract
We present the results of a Monte-Carlo simulation of the NERFET, a field effect transistor where the real-space transfer of channel electrons over a heterojunction barrier gives rise to a negative differential resistance (NDR) effect on drain current. An analytical expression of the real-space current is built upon our simulation results. By this way, we construct an analytical model of the NERFET which shows good agreement with Monte-Carlo results without the need of adjusting any parameter.