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J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-45 - C4-48 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988408 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-45-C4-48
DOI: 10.1051/jphyscol:1988408
EFFECTS OF MECHANICAL STRESS ON MOS STRUCTURES WITH TiSi2 GATES
P.J. REUTERS, J. GIESE, M. OFFENBERG, W. RICHTER, S. EWERT et P. BALKInst. of Semiconductor Electronics and Inst. of Physics, Technical University Aachen, D-5100 Aachen, F.R.G.
Résumé
Un piégeage d'électrons et une génération densité d'états à l'interface par l'injection d'électrons ainsi qu'une détérioration du comportement de rupture ont été observé dans des capacités MOS ayant une électrode de grille en TiSi2. Ces effets sont plus prononcés pour des épaisseurs d'électrode plus importantes. Ils semblent être causées par des contraintes mécaniques provoquées par l'électrode de grille de ce système MOS.
Abstract
MOS capacitors with TiSi2 gate electrode show electron trapping, interface state generation upon electron injection and reduction of breakdown strength ; these effects become more pronounced for electrodes with increasing thickness. Evidence is presented that this degradation of the insulator is due to mechanical stress in the MOS system caused by the gate.