| Issue |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C2, Juin 1988
Optical Bistability - IV
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C2-197 - C2-200 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988246 | |
Optical Bistability - IV
J. Phys. Colloques 49 (1988) C2-197-C2-200
DOI: 10.1051/jphyscol:1988246
1 Institute of Optical Research and Department of Physics II, Royal Institute of Technology, S-100 44 Stockholm, Sweden
2 Swedish Institute of Microelectronics, PO Box 1084, S-164 21 Kista, Sweden
J. Phys. Colloques 49 (1988) C2-197-C2-200
DOI: 10.1051/jphyscol:1988246
SUBNANOSECOND ABSORPTIVE SWITCHING IN GaAs ETALONS
O. SAHLÉN1, U. OLIN1, G. LANDGREN2 et M. RASK21 Institute of Optical Research and Department of Physics II, Royal Institute of Technology, S-100 44 Stockholm, Sweden
2 Swedish Institute of Microelectronics, PO Box 1084, S-164 21 Kista, Sweden
Résumé
Des temps de commutation de retour à l'équilibre ("switch-off") inférieures à la nanoseconde ont été observés. Les expériences ont été effectuées en réflection, avec une énergie du faisceau-sonde supérieure à celle de la bande interdite, dans des étalons en Arsenure de Gallium possédant une faible finesse. L'expérience est en bon accord avec une étude théorique incluant le phénomène de recombinaison stimulée
Abstract
Subnanosecond switch-off times are reported in low-finesse GaAs etalons operating in reflection with probe energies above the bandgap. Good agreement is achieved with a theoretical model including stimulated recombination.