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J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C2, Juin 1988
Optical Bistability - IV
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| Page(s) | C2-193 - C2-196 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988245 | |
J. Phys. Colloques 49 (1988) C2-193-C2-196
DOI: 10.1051/jphyscol:1988245
INVESTIGATION OF ALL-EPITAXIAL GaAs/GaAlAs BISTABLE ETALONS : IMPROVEMENTS TOWARDS CONTINUOUS AND PARALLEL OPERATION
R. KUSZELEWICZ, J.-L. OUDAR, R. AZOULAY, J.-C. MICHEL et J. BRANDONCNET, Laboratoire de Bagneux, 196, Avenue H. Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
Nous rapportons la fabrication et la caractérisation optique d'étalons bistables en GaAs avec des miroirs GaAs/AlAs intégrés, obtenus par croissance MOVPE. Une puissance critique de 4 mW et un contraste de 2:1 sont observés. Nous constatons un fonctionnement quasi-continu lorsque la dissipation thermique est améliorée après suppression du substrat. Nous avons également fabriqué des matrices bidimensionnelles de résonateurs enterrés par Al0.2Ga0.8As dans le but d'assurer un bon confinement électrique et optique.
Abstract
We report the fabricaticm and optical characterization of MOVPE-grown GaAs bistable étalon with GaAs/AlAs integrated mirrors. A 4 mW threshold power and 2:1 reflectivity contrast are observed. Quasi-continuous is operation observed in relation with thermal dissipation improvement when the substrate is removed. Two-dimensional arrays of individual devices have been fabricated and buried with Al0.2Ga0.8 As for electrical and optical confinement.