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J. Phys. Colloques
Volume 46, Number C8, Décembre 1985
Third International Conference on the Structure of Non-Crystalline Materials
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| Page(s) | C8-545 - C8-549 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985886 | |
J. Phys. Colloques 46 (1985) C8-545-C8-549
DOI: 10.1051/jphyscol:1985886
COMPARATIVE STUDY OF THE STRUCTURE OF AMORPHOUS Ge AND AMORPHOUS III-V COMPOUNDS
A. Gheorghiu1, K. Driss-Khodja1, S. Fisson1, M.L. Thèye1 and J. Dixmier21 Laboratoire d'Optique des Solides, U.A. CNRS 781, Université Pierre et Marie Curie, 4 place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
2 Laboratoire de Physique des Solides, CNRS-Bellevue, 1, place Aristide Briand, 92195 Meudon Principal Cedex, France
Résumé
La structure de couches minces de Ge et GaAs amorphes préparées par évaporation, non recuites et recuites, est étudiée par diffraction électronique. Les fonctions d'interférence ainsi que les fonctions de distribution radiale sont comparées aux prédictions de deux modèles de réseau continu aléatoire comprenant ou non des anneaux à nombre impair d'atomes, avant et après relaxation. On confirme que les composés tétracoordonnés amorphes doivent contenir une proportion négligeable d'anneaux impairs.
Abstract
The structure of evaporated amorphous Ge and flash-evaporated amorphous GaAs films, both as-deposited and annealed, is investigated by careful electron diffraction experiments. Both the interference functions and the radial distribution functions are compared to the predictions of two unrelaxed and relaxed continuous random network models with and without odd-membered rings. It is confirmed that amorphous tetracoordinated compounds must contain a negligible proportion of odd-membered rings.