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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C8, Décembre 1986
EXAFS and Near Edge Structure IV
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| Page(s) | C8-427 - C8-430 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986886 | |
EXAFS and Near Edge Structure IV
J. Phys. Colloques 47 (1986) C8-427-C8-430
DOI: 10.1051/jphyscol:1986886
1 Laboratoire de Chimie-Physique, UA 176, Université Pierre et Marie Curie, 11, Rue Pierre et Marie Curie, F-75231 Paris Cedex 05, France
2 Laboratoire d'Optique des Solides, UA 040-781 CNRS, Université Pierre et Marie Curie, 4, Place Jussieu, F-75320 Paris Cedex 05, France
J. Phys. Colloques 47 (1986) C8-427-C8-430
DOI: 10.1051/jphyscol:1986886
INVESTIGATION OF THE L NEAR-EDGE STRUCTURE IN CRYSTALLINE AND AMORPHOUS GaAs
S. GUITA1, E. BELIN1, C. SENEMAUD1, D. UDRON2, A. GHEORGHIU2 et M.L. THEYE21 Laboratoire de Chimie-Physique, UA 176, Université Pierre et Marie Curie, 11, Rue Pierre et Marie Curie, F-75231 Paris Cedex 05, France
2 Laboratoire d'Optique des Solides, UA 040-781 CNRS, Université Pierre et Marie Curie, 4, Place Jussieu, F-75320 Paris Cedex 05, France
Résumé
Une étude comparée des spectres de photoabsorption au voisinage des seuils L3 de As et de Ga dans GaAs amorphe et cristallisé a montré que seuls les états s du Ga sont présents dans le bas de la bande de conduction. Le désordre n'induit pas de mélange sensible des états de As et de Ga au voisinage du seuil.
Abstract
A comparative study of the photoabsorption spectra near the As and Ga L3 edges in amorphous and crystalline GaAs has shown that only Ga s-states are found at the bottom of the conduction band. Disorder does not induce noticeable admixture of As and Ga states close to the band edge.