ATOM-PROBE STUDY OF Al-GaAs INTERFACES

Résumé
La réaction d'échange Al-Ga à l'interface Al-GaAs a été étudiée en déposant une couche de Al sur des pointes de GaAs dopées au Zn et au Si dans la chambre de la sonde à atomes. Tandis que le GaAs dopé au Si montre un interface Al-GaAs atomiquement abrupt à 200 K, le GaAs dopé au Zn forme une couche composée Al-As. La température de seuil plus basse pour la réaction d'échange Al-Ga pourrait être attribuée à une réaction facilitée par Zn. Lorsque la température augmente, la concentration en As dans la couche mélangée augmente et l'épaisseur de la couche de Al n'ayant pas réagi diminue. A 900 K, la couche composée avec la stoechiométrie de AlAs et un interface atomiquement abrupt avec le substrat GaAs se forme.

Abstract
The Al-Ga exchange reaction at the Al-GaAs interface was studied by depositing an Al layer on Zn-doped and Si-doped GaAs tips in the atom-probe chamber. While Si-doped GaAs exhibited an atomically abrupt Al-GaAs interface at 200 K, Zn-doped GaAs formed an Al-As mixed layer. The observed lower threshold temperature for the Al-Ga exchange reaction could be attributed to the promoted reaction by Zn. As temperature rose, the As concentration in the mixed layer increased and the thickness of an unreacted Al layer decreased. At 900 K the mixed layer with the stoichiometry of AlAs and an atomically abrupt interface with the substrate GaAs was formed.