ERRONEOUS COMPOSITION OF GaAs MASS-ANALYZED BY ATOM-PROBES

Résumé
L'analyse en masse par sonde à atome de GaAs donne souvent une composition trop riche en As. La raison du déficit en atomes de Ga a été attribuée à l'évaporation préférentielle de Ga au faible champ exercé par la tension continue pendant les intervalles entre deux impulsions de tension. Dans le but d'examiner cette hypothèse, la relation entre le nombre d'atomes Ga manquants et celui des atomes évaporés de champ en tension continue a été cherchée en employant une sonde à atomes avec un temps de vol rectiligne. Le nombre d'atomes évaporés à tension continue diminue presque jusqu'à zéro lorsque la température de la pointe est abaissée et que la fraction de tension d'impulsion est augmentée. Cependant, le nombre d'atomes As détectés reste supérieur à celui des atomes de Ga, même à 110 K. Une étude plus poussée est nécessaire pour expliquer cette richesse en As de la composition.

Abstract
The atom-probe mass analysis of GaAs often gives an As rich composition. The cause of the deficiency of a large number of Ga atoms detected was attributed to the preferential field evaporation of Ga at low field exerted by the dc voltage during the intervals between superposing voltage pulses. In order to examine this presumption, the relation between the number of deficient Ga atoms and that of field evaporated atoms at dc voltages was investigated using an atom-probe with a straight flight path. The number of evaporated atoms at dc voltages decreased to nearly zero as the tip temperature was lowered and the fraction of pulse voltage was increased. However, the number of the detected As atoms remained more than that of Ga even at 110 K. Further study is required to explain the observed As rich composition.