ELECTRONIC STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR INTERFACES*

Résumé
Des études expérimentales récentes montrent que certains systèmes semiconducteurs, tels que Al_xGa_1-xAs/GaAs et des super-réseaux de couches soumises à des contraintes peuvent être fabriqués sans rugosité à l'échelle d'une couche monoatomique, et pratiquement sans imperfections. La possibilité d'obtenir des interfaces et des empilements (hétérostructure, super-réseaux) est bien sûr du plus grand intérêt sur le plan scientifique et technologique. Toutefois, la plupart des interfaces contiennent une grande variété de défauts d'origine structurale ou chimique. Actuellement, la recherche porte essentiellement sur l'identification, la modification ou la réduction de telles imperfections.

Abstract
Although we now have a good understanding of the electronic structure of idealized semiconductor interfaces, including the nature of localized interface states, recent experimental studies suggest that the atomic structure of actual interfaces is considerably more complicated than that described by the idealized models used in current theoretical research. If we are to understand the electronic properties of interfaces more fully, it is essential that we develop more realistic structural models for interfaces. We will illustrate the strengths and weaknesses of present-day theories by discussing the electronic structure of Ge/GaAs, Si/SiO₂, and Pd₂Si/Si(111) interfaces. We will also discuss the development of improved atomic-scale models for interfaces between crystalline and amorphous semiconductors.