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J. Phys. Colloques
Volume 45, Number C5, Avril 1984
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
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| Page(s) | C5-261 - C5-267 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984539 | |
J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-261-C5-267
DOI: 10.1051/jphyscol:1984539
NONLINEAR SURFACE ELECTROMAGNETIC WAVES AT METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES
Y.J. Chen et G.M. CarterGTE Laboratories, Inc., 40 Sylvan Road, Waltham, Massachusetts 02254, U.S.A.
Résumé
L'existence d'une grande susceptibilité non-linéaire du troisième ordre, X(3), dans les semiconducteurs (en particulier, dans les composés III-V) produit de nouveaux types d'ondes électromagnétiques de surface localisées aux interfaces métal-semiconducteur. La relation de dispersion de ces ondes est fonction de leur intensité. Nous avons observé récemment pour la première fois, ces ondes électromagnétiques de surface non-linéaires aux interfaces Ag-Si et Ag-GaAs. Dans ce papier, nous donnons un bref aperçu sur les considérations expérimentales et sur le travail théorique correspondant.
Abstract
The existence of a large third order nonlinear susceptibility, x(3), in semiconductors (e.g., III-V compounds) gives rise to new types of surface electromagnetic waves (SEWs) at the metal-semiconductor interfaces whose dispersion relations are intensity dependent. Recently, we observed for the first time, nonlinear SEWs at Ag-Si and Ag-GaAs interfaces. In this paper we give a brief summary of the experimental considerations and related theoretical work.