Issue
J. Phys. Colloques
Volume 45, Number C5, Avril 1984
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
Page(s) C5-255 - C5-259
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984538
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces

J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-255-C5-259

DOI: 10.1051/jphyscol:1984538

THEORY OF DISPERSION AND INSTABILITIES ASSOCIATED WITH LOCALIZED POLARITONS AT SEMICONDUCTOR INTERFACES

B.G. Martin1 et R.F. Wallis2

1  Aerojet Electrosystems, Azusa, CA 91702, U.S.A.
2  Physics Dept., University of California, Irvine, CA 92717, U.S.A.


Résumé
Nous obtenons la relation de dispersion des polaritons localisés aux interfaces de semiconducteurs en utilisant l'approche de réflexion spéculaire de Kliewer et Fuchs. Nous avons fait des calculs spécifiques dans la limite non retardée et avons trouvé des instabilités dans certaines gammes de fréquence.


Abstract
The dispersion relation for localized polaritons at semiconductor interfaces has been derived using the specular reflection approach of Kliewer and Fuchs. Specific calculations have been made in the nonretarded limit, and instabilities have been found incertain frequency ranges.