Issue
J. Phys. Colloques
Volume 45, Number C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
Page(s) C2-419 - C2-422
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984295
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis

J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-419-C2-422

DOI: 10.1051/jphyscol:1984295

ESSAIS DE CARACTÉRISATION DE LA SÉGRÉGATION INTERGRANULAIRE DANS LES JOINTS DE GRAINS D'ALLIAGES Ni - Si EN ANALYSE PAR EMISSION X - STEM

L. Beaunier, H. Dexpert1 et C. Vignaud2

1  Institut Français du Pétrole, B.P. 311, 92506 Rueil-Malmaison, France
2  Groupe de Recherche n° 4 du CNRS, Physique des Liquides et Electrochimie, Université Pierre et Marie Curie, 4 place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France


Résumé
Nous mettons en évidence la ségrégation du silicium dans les joints de grains du nickel contenant 1,3% de silicium atomique en matrice. La mesure est faite par analyse directe des joints de grains en émission X sur STEM.


Abstract
The silicon grain-boundary segregation is shown in a 1.3% at. nickel-silicon alloy, by direct measurement on grain-boundaries by spectrometry X on STEM.