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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-235 - C10-238 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831049 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-235-C10-238
DOI: 10.1051/jphyscol:19831049
ELECTROREFLECTANCE OF THIN FILM Al-ZnS-Al SANDWICHES
G. Chabrier, A. Moustaide, G. Niquet et P. VernierLaboratoire de Photoélectricity, Faculté des Sciences de Dijon, France
Résumé
Nous avons mesuré le spectre d'électroréflectance (ER) de films minces de ZnS en appliquant une tension sinusoïdale à des sandwichs Al-ZnS-Al. Par détection synchrone nous avons analysé les variations de la réflectance avec la tension appliquée et nous avons séparé une composante impaire (linéaire) due aux seules couches interfaciales d'une composante paire (quadratique) due à l'ensemble du film isolant. Un désordre structural propre aux films minces pourrait être la cause de l'élargissement considérable des extremums observés et de la validité de l'approximation des champs faibles.
Abstract
The electroreflectance (ER) spectra of thin ZnS films have been measured by applying a sinusoidal voltage to Al-ZnS-Al sandwiches. Reflectance variation with applied voltage have been analyzed with a lock-in amplifier. Odd (linear) components due to interfacial layers have been separated from even (quadratic) ones due to the whole film. Structural disorder, specific of thin films, might explain the large broadening of the extrema and make the low field approximation valid.