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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-229 - C10-233 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831048 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-229-C10-233
DOI: 10.1051/jphyscol:19831048
ELECTROREFLECTANCE AND SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY STUDIES OF GaAs/GaAlAs HETEROJUNCTIONS
C. Alibert1, S. Gaillard1, M. Erman2 et P.M. Frijlink21 Univevsité des Sciences et Techniques du Languedoc, Place Eugène Bataillon, 34060 Montpellier, France
2 Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquée, 3, Avenue Descartes, 94450 Limeil Brévannes, France
Résumé
Des hétérostructures GaAlAs/GaAs obtenues par croissance en phase vapeur aux organométalliques sont analysés par électroréflexion dans la région E0, E0 + Ɗ0 des deux matériaux. Les résultats sont comparés avec ceux obtenus en ellipsométrie spectroscopique dans la gamme 1.6 à 5.4 eV. Les structures des spectres d'électroréflexion des couches minces (en dessous de 100 Å) sont très bien résolues même à température ambiante. Les structures "normales" (couche mince de GaAs sur une couche épaisse de GaAlAs) et "inversées" (couche mince de GaAlAs sur couche épaisse de GaAs) sont étudiées par les deux techniques. On obtient ainsi des informations concernant la composition, les régions d'interface et la qualité des couches. Les avantages et les limitations propres aux deux méthodes sont discutés.
Abstract
M.O.V.P.E. grown GaAlAs/GaAs heterojunctions have been examined by modulation spectroscopy (electro reflectance - E R) in the E0, E0 + Ɗ0 region of both materials and compared with spectroscopic ellipsometry (S.E.) analysis in the 1.6 - 5.4 eV region. The electro-reflectance structures of thin layer (below 100 Å) of GaAlAs and GaAs are well resolved, even at room temperature. The "normal" (thin GaAlAs layer on top of GaAs substrate) and "inverted" (thin GaAs layer on top of GaAlAs thick film) heterostructures are analyzed using both techniques. Informations about composition, interface region and layer quality are obtained. The respective advantages and limitations of the two techniques are discussed.