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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-427 - C5-431 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983562 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-427-C5-431
DOI: 10.1051/jphyscol:1983562
DOPING OF SILICON WITH ARSENIC AND PHOSPHORUS FROM SPIN-ON SOURCES EXPOSED TO INCOHERENT LIGHT
A.N. Larsen1, V.E. Borisenko2, 1 et L.D. Nielsen31 Institute of Physics, University of Aarhus, DK 8000 Aarhus C, Denmark
2 Minsk Radioengineering Institute, P.Browka 6, 220069 Minsk, USSR
3 Physics Laboratory III, Technical University of Denmark, DK 2000 Lyngby, Denmark
Résumé
Des illuminations de courte durée d'une lampe à xénon ont été utilisées pour doper à l'arsenic ou au phosphore des monocristaux de silicium à partir de films d'oxyde de silicium dopé déposés par "spin-on". Des températures entre 1000°C et 1200°C pour des temps d'exposition de 10 à 30 secondes ont été appliquées. Des mesures de résistance superficielle, de rétrodiffusion de particules α et de canalisation ont permis l'évaluation des couches diffusées. De plus, des cellules solaires fabriquées à partir de ces échantillons ont été caractérisées par leurs réponses spectrales et par leurs caractéristiques courant-tension en lumière AM1. Les conditions optimales de dopage sont discutées pour l'arsenic et le phosphore dans des monocristaux de silicium d'orientation <100> et <111> en fonction de l'épaisseur du film d'oxyde déposé, du temps d'illumination et de la température induite.
Abstract
Short-duration incoherent xenon light exposure has been used to dope silicon single crystals with arsenic or phosphorus from spin-on deposited doped silicon oxide films. Induced temperatures between 1000°C and 1200°C have been applied for exposure times between 10 sec and 30 sec. The diffused layers were characterized by sheet resistivity measurements and Rutherford Backscattering including channeling. Furthermore, solar cells made from these samples were evaluated by spectral response measurements and recording of AM1 current-voltage characteristics. Optimal doping conditions are discussed for arsenic and phosphorus in <100> and <111> oriented silicon single crystals with respect to deposited film thickness, exposure time, and induced temperature.