Issue
J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
Page(s) C5-353 - C5-361
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983552
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials

J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-353-C5-361

DOI: 10.1051/jphyscol:1983552

APPLICATIONS OF TRANSIENT ANNEALING TO SOLAR CELL PROCESSING

G.G. Bentini

C.N.R. Istituto LAMEL Via Castagnoli 1, 40126 Bologna, Italy


Résumé
Les raisons économiques justifiant l'introduction de les requits à transient dans la fabrication de les cellules solaires ont été brièvement discuté. Ces techniques peuvent jouer un rôle important dans la production à grande échelle, pour leur compatibilité avec la demande de procédés automatiques, associé à une bonne qualité de la jonction p-n. Les applications des différents techniques de recuite à transient appliquées à la production des cellules solaires ont été discuté en comparant les résultats obtenues, soit en phase liquide soit en phase solide, après Implantation Ionique ou déposition du dopant sur la surface. La possibilité de réalisation de jonction p-n à la suite de une impulsion laser donné en une atmosphère contenant un gaz dopant, sera brièvement présenté.


Abstract
The economical reasons supporting the introduction of transient annealing in solar cell manufacturing are briefly discussed. Such techniques may play an important role, as they are compatible with the request of high throughput, automated processing together with the high quality of the p-n junction which are necessary for large scale economical production of photovoltaic energy. A survey of the applications of the different transient annealing techniques to solar cell processing has been developed by comparing in detail the results obtained up to now the case of solid and liquid phase transient annealing, associated with dry techniques such as Ion Implantation or dopant deposition on the wafer surface. The possibility of using laser pulses for the formation of the p-n junction by incorporation of dopant atoms from a suitable gaseous environment, has also been examined.