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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-241 - C5-245 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983538 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-241-C5-245
DOI: 10.1051/jphyscol:1983538
PULSED LASER AND ELECTRON BEAM INDUCED DIFFUSION OF ANTIMONY IN SILICON
E. Fogarassy1, P. Siffert1, D. Barbier2, G. Chemisky2 et A. Laugier21 Centre de Recherches Nucléaires, Laboratoire PHASE, 67037 Strasbourg Cedex, France
2 INSA, 69621 Villeurbanne Cedex, France
Résumé
Le but de ce travail est de comparer la diffusion induite, soit par une impulsion laser, soit par un faisceau d'électrons pulsés, d'un film mince d'antimoine d'environ 100 Å d'épaisseur dans un substrat cristallin de silicium. Les résultats déduits d'expériences de rétrodiffusion de particules chargées (RBS), sont interprétés en utilisant les profil de distribution des températures dans les zones traitées, obtenus en résolvant l'équation de la chaleur pour chacune des deux techniques de recuit (laser et électrons).
Abstract
The aim of this work is to compare the diffusion into silicon of a thin film (~ 100 Å) of deposited antimony induced either by a pulsed laser irradiation or electron beam and to interpret the different experimental behaviours as observed by Rutherford backscattering spectrometry, by using the calculated temperature distributions obtained by solving the heat flow equation for the two different annealing processes.