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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-423 - C4-435 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983450 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-423-C4-435
DOI: 10.1051/jphyscol:1983450
Sektion Physik der Karl-Marx-Universität, Leipzig, D.R.G.
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-423-C4-435
DOI: 10.1051/jphyscol:1983450
THEORETICAL DESCRIPTION OF THE INFLUENCE OF DISLOCATIONS ON THE LUMINESCENCE OF LIGHT-EMITTING DIODES
L. PasemannSektion Physik der Karl-Marx-Universität, Leipzig, D.R.G.
Résumé
Dans l'hypothèse qu'une dislocation isolée décorée par des impuretés peut être considérée comme une inhomogénéité macroscopique, on propose un modèle simple qui décrit l'influence de dislocations non corrélées sur la luminescence de diodes électroluminescentes. L'accord de ce modèle avec les données expérimentales est raisonnable.
Abstract
Under the assumption that a single dislocation decorated by impurities can be considered as a macroscopic inhomogeneity a simple model is proposed which describes the influence of uncorrelated dislocations on the luminescence of LEDs in reasonable agreement with experimental data.