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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-409 - C4-414 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983448 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-409-C4-414
DOI: 10.1051/jphyscol:1983448
Thomson-CSF, Laboratoire Central de Recherches, B.P. 10, 91401 Orsay, France
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-409-C4-414
DOI: 10.1051/jphyscol:1983448
ETUDE DES DEFAUTS DANS LES COUCHES HETEROEPITAXIALES DE MATERIAUX I I I-V PAR L'ANALYSE METALLOGRAPHIQUE SUR BISEAU CHIMIQUE
A.M. Huber, G. Laurencin et M. RazeghiThomson-CSF, Laboratoire Central de Recherches, B.P. 10, 91401 Orsay, France
Résumé
Une technique de révélation a été mise au point pour l'étude des défauts dans les structures hétéroépitaxiales de mono et multicouches. La realisation d'un biseau chimique de très faible angle avant la révélation a permis l'évaluation de la structure cristalline et l'étude des interfaces.
Abstract
The "etch pit" observation technique has been developed for the study of the crystalline perfection of mono and multilayer heterostructure. Before the selective revelation we form a chemical bevel with a very low angle. By this technique we can see if misfit dislocation at the interface are generated or not.