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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-345 - C4-352 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983441 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-345-C4-352
DOI: 10.1051/jphyscol:1983441
SPIN-DEPENDENT RECOMBINATION AT DISLOCATION DANGLING BONDS IN Si
V.V. Kveder, Yu.A. Ossipyan et A . I . ShalyninInstitute of Solid State Physics, Academy of Sciences of the U.S.S.R., 142432 Chernogolovka, Moscow distr., U.S.S.R.
Résumé
La recombinaison dépendant du spin des porteurs libres par l'intermédiaire des liaisons pendantes dues aux dislocations est étudiée en fonction de la température et de l'intensité de la lumière sous des champs magnétiques de 0,04, de 3,3 et de 12,5 KOe. L'analyse des résultats conduit à proposer un modèle fondé sur le concept de recombinaison via les liaisons pendantes après une capture préliminaire sur des niveaux intermédiaires peu profonds dus probablement au potentiel de déformation de la dislocation.
Abstract
Spin-dependent recombination of free carriers via dislocation dangling bonds (DDB) is investigated as a function of temperature and light intensity in magnetic fields of 0.04, 3.3 and 12.5 kOe. On the basis of an analysis of the data obtained, a model of the effect is proposed in which use is made of the concept of recombination via DDB with preliminany carrier capture at the intermediate shallow levels due, presumably, to the deformation potential of the dislocation.