Issue
J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
Page(s) C4-313 - C4-316
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983437
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors

J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-313-C4-316

DOI: 10.1051/jphyscol:1983437

X-RAY AND SCANNING CATHODOLUMINESCENCE IMAGING OF SMALL-ANGLE GRAIN BOUNDARIES AND DISLOCATIONS IN CdTe CRYSTALS

M. Klimkiewicz et J. Auleytner

Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warszawa, Poland


Résumé
En utilisant d'une part la topographie de rayons X (RXT), et d'autre part la microscopie électronique à balayage en mode cathodoluminescence (CL-IR), nous sommes en mesure de visualiser les défauts du réseau dans les monocristaux de CdTe. La possibilité d'identification du défaut est un avantage de la technique RXT. De plus, la surface examinée peut être imagée. La cathodoluminescence garantit cependant une meilleure résolution. Les défauts observés en cathodoluminescence dans des cristaux de CdTe ont été identifiés comme des sous-joints et des dislocations à vis.


Abstract
By employing the Reflection X-ray Topography (RXT), on one hand, and the cathodoluminescence (CL-IR) mode of operation of the Scanning Electron Microscope, on the other hand, we are able to visualize the lattice defects in CdTe sinole crystals. The possibility of defect identification is the advantage of the RXT technique. Moreover, the examitied surface can be imaged as a whole. Cathodoluminescence however, guarantees higher resolution. The defects in CdTe crystals, observed in cathodoluminescence images, have been identified as small-angle boundaries and screw dislocations.