| Issue |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C4-195 - C4-205 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983424 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-195-C4-205
DOI: 10.1051/jphyscol:1983424
INTERACTION BETWEEN DISLOCATIONS AND IMPURITIES IN SILICON
K. SuminoThe Research Institute for Iron, Steel and Other Metals, Tohoku University, Sendai 980, Japan
Résumé
En se basant sur les travaux de l'équipe dont l'auteur fait partie, certains aspects de l'interaction entre les dislocations et les impuretés dans des cristaux de silicium, sont étudiés ici. Les sujets étudiés sont : les conséquences de la présence d'impuretés sur la dynamique de la dislocation, le blocage des dislocations par les impuretés, la cinétique de l'agrégation d'atomes d'oxygène sur le coeur, et la structure et l'activité électrique des agrégats d'oxygène qui se développent au coeur des dislocations.
Abstract
Some aspects on the interaction between dislocations and impurities in silicon crystals are reviewed on the basis of the works of author's group. Topics taken up are effects of impurities on the dynamic behaviour of dislocations, locking of dislocations by impurities, kinetics of the aggregation of oxygen atoms on dislocation core, and the structure and electrical activity of oxygen aggregates developed at dislocation core.