GALVANOMAGNETIC PROPERTIES OF PLASTICALLY DEFORMED InSb

Résumé
Des monocristaux d'antimoniure d'indium de type n ou p, ayant une densité de dislocations de croissance et une concentration de porteurs libres aussi faibles que possible ont été déformés en compression uniaxiale ou en torsion. Lorsque la densité de dislocations est élevée, relativement à la concentration des porteurs libres, les mesures d'effet Hall et de conductivité montrent, pour les dislocations coin, une décroissance importante du nombre des porteurs et de leur mobilité. Dans InSb de type n, les dislocations vis ont, à basse température, pour effet d'inverser le signe des porteurs libres majoritaires. Les résultats sont discutés en termes de position, taux d'occupation et localisation des niveaux d'énergie introduits dans la bande d'énergie interdite.

Abstract
n and p type InSb single crystals with as low as available initial carrier concentrations and dislocation densities were deformed by torsion or uniaxial compression. Hall effect and conductivity measurements exhibit a large decrease of the free carrier concentration and their mobilities for edge dislocations when the ratio between the carrier concentration and the dislocation density is not too high. Screw dislocations have been seen to inverse the type of the as-grown material for n-type InSb. Results are discussed in terms of position, occupation rate and localization of energy states introduced in the band gap.