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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-149 - C4-155 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983418 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-149-C4-155
DOI: 10.1051/jphyscol:1983418
STRAIN INDUCED EFFECTS OF DISLOCATIONS IN CdS:SHIFT OF EXCITONIC LINES, PHOTOVOLTAIC EFFECT
O. Vyvenko1, 21 IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Göttingen, BRD.
2 Institute of Physics of the Leningrad State University, Leningrad, U.S.S.R.
Résumé
Nous avons calculé le déplacement de lignes excitoniques dû à la déformation élastique des bandes de glissement pour des cristaux de structure wurzite en utilisant la théorie du potentiel de déformation. Nous montrons que des dépendances non linéaires de la position de la bande de valence, sur la déformation du réseau, conduisent à un comportement différent de lignes excitoniques pour différents types de dislocations. Les résultats des calculs sont appliqués pour expliquer les caractéristiques des spectres de réflexion d'exciton libre et des spectres d'effet photovoltaïque dans le CdS. L'accord qualitatif entre la théorie et l'expérience est démontré pour ces deux phénomènes.
Abstract
The calculation of the energy displacement of excitonic lines due to elastic strain of DSB have been performed for wurzite type crystals using the deformation potential theory. It is shown that nonlinear dependence of the position of valence bands on lattice strain gives rise to a different behavior of excitonic lines for various types of dislocation. The results of calculations are applied for the explanation of the characteristics of the free exciton reflection spectra and the spectra of photovoltaic effect in CdS. The qualitative agreement between theory and experiment is demonstrated for both phenomena.