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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-93 - C4-101 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983411 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-93-C4-101
DOI: 10.1051/jphyscol:1983411
Institut für Metallyphysik der Universität Göttingen und Sonderforschungsbereich 126, Göttingen, F.R.G.
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-93-C4-101
DOI: 10.1051/jphyscol:1983411
DEEP ELECTRON LEVELS AND FURTHER EFFECTS OF TOPOLOGICAL DISORDER BY DISLOCATIONS
H. Teichler et H. VethInstitut für Metallyphysik der Universität Göttingen und Sonderforschungsbereich 126, Göttingen, F.R.G.
Résumé
On présente une revue brève des calculs des niveaux profonds associés aux dislocations. On décrit en particulier des résultats obtenus par une technique de récursion qui permet de conserver la symétrie de translation. Enfin, certains effets liés au "potentiel de jauge" des dislocations sont mentionnés.
Abstract
Recent calculations of deep levels at dislocations are briefly reviewed. In particular results of a recursion approach maintaining the translation symmetrie are presented. In addition, effects of the "gauge potential" of dislocations are sketched.