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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-69 - C4-74 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983408 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-69-C4-74
DOI: 10.1051/jphyscol:1983408
Abt. f. Metallphysik, II. Physikalisches Institut, Universität Köln, Zülpicher Str. 77, D-5000 Köln 41, F.R.G.
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-69-C4-74
DOI: 10.1051/jphyscol:1983408
DISLOCATION BENDS I N HIGH STRESS DEFORMED SILICON CRYSTALS
H. GottschalkAbt. f. Metallphysik, II. Physikalisches Institut, Universität Köln, Zülpicher Str. 77, D-5000 Köln 41, F.R.G.
Résumé
Pour rendre compte des courbures de dislocations dans le silicium différentes estimations de la tension de ligne sont présentées et comparées aux résultats expérimentaux obtenus à faibles et fortes contraintes.
Abstract
Different approximations for the line tension of dislocation bends in silicon are discussed and compared with experimental results obtained for low stress and high stress deformation.