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J. Phys. Colloques
Volume 43, Number C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-445 - C5-452 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982552 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-445-C5-452
DOI: 10.1051/jphyscol:1982552
MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF In0.53Ga0.47As AND InP SUBSTRATE
D. Bonnevie et D. HuetLaboratoires de Marcoussis, Centre de Recherches de la C.G.E., Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France
Résumé
Des monocouches de In1-xGaxAs ont été epitaxiées sur substrat d'InP par la technique des jets moléculaires. Une mesure précise des flux a permis l'épitaxie de couches dont le désaccord de maille avec le substrat est inférieur a 10-3. L'utilisation de cellules séparées pour l'indium, le gallium et l'arsenic, ainsi qu'un porte substrat tournant, permet d'obtenir une bonne uniformité de la composition. Il est montré que la température du substrat a une influence sur la composition de la couche épitaxiée ainsi que sur la pression d'arsenic nécessaire pour une croissance stoechiométrique. Enfin, des résultats de dopages résiduels non intentionnels et de dopages au bérillium sont présentés.
Abstract
Epitaxial layers of In1-xGaxAs lattice matched to InP substrates have been grown by molecular beam epitaxy. By accurate flux measurements epitaxial layers are obtained with lattice mismatch lower than 10-3. The use of separated cells for indium, gallium and arsenic as well as rotating substrate holder permits to obtain good composition uniformity. Influence of the substrate temperature on the epitaxial layers composition is shown. Arsenic pressure needed for stoichiometric growth in a function of substrate temperature. Results on non-intentional doping and beryllium doping are presented.