THE VAPOUR PHASE ETCHING AND N-TYPE DOPING OF INDIUM PHOSPHIDE

Résumé
On a déterminé les conditions expérimentales pour l'attaque chimique in situ de InP (100) dans le système In/PCl₃ sous atmosphère d'hydrogène et sous atmosphère d'azote. Les couches épitaxiales obtenues sur des substrats attaqués dans les conditions définies ci-dessus, présentent une planéité améliorée. On compare les propriétés électriques des couches obtenues en dopant InP avec Si et Sn à partir de mélanges respectifs de dichlorosilane et de chlorure d'étain dans de l'hydrogène, avec celles obtenues sur InP dopé au soufre. Le dopage au silicium, ainsi que le dopage à l'étain, dépendent de la concentration en PCl₃ pendant la croissance. Les mesures de mobilité de Hall a 77 K sur des couches dopées S, Sn, ou Si indiquent l'existence d'une forte compensation lorsqu'on les compare aux valeurs théoriques.

Abstract
The conditions for the in situ planar etching of (100) indium phosphide in the In/PCl₃ system for both hydrogen and nitrogen ambients have been established. Epitaxial layers grown on substrates vapour etched under these conditions show an improved flatness. The electrical properties of silicon and tin doped indium phosphide layers obtained using mixtures of dichlorosilane and stannic chloride in hydrogen are compared with results from sulphur doped material. Both silicon and tin demonstrate a PCl₃ concentration dependence and all three dopants demonstrate 77 K Hall mobilities which imply strong compensation when compared with published theoretical calculations.