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J. Phys. Colloques
Volume 43, Number C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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Page(s) | C1-125 - C1-128 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982117 |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-125-C1-128
DOI: 10.1051/jphyscol:1982117
SIGNIFICANCE OF PASSIVATION TECHNIQUES ON SEMICRYSTALLINE SILICON FOR THE IMPROVEMENT OF SOLAR CELLS EFFICIENCY
L. Sardi, S. Pidatella et G. FigariANSALDO S.p.A. Genoa, University of Genoa, Italy
Résumé
La diffusion de l'hydrogène moléculaire et la diffusion du phosphore en 2 étapes améliorent considérablement le rendement des cellules solaires semicristallines. Nous présentons une étude de ces techniques de passivation, réalisée, sur le silicium Wacker SILSO ; Les mesures de résistance distribuée, OCVD, EBIC et de rendement donnent pour les 2 techniques les résultats suivants : i) Un accroissement de la durée de vie des porteurs minoritaires ii) Un accroissement du rendement (10%) . L'analyse de bore montre qu'après diffusion de l'hydrogène moléculaire, la valeur théorique de la résistance est approchée, alors qu'avant le traitement, une résistance beaucoup plus grande était trouvée.
Abstract
Molecular hydrogen diffusion and "two steps phosphorus" diffusion enhance considerably the efficiency of semicrystalline solar cells. We present in this paper the results of a systematic investigation of both these passivation techniques performed on Wacker, SILSO material. Spreading resistance, OCVD, EBIC and efficiency measurements were carried out and showed that on both the techniques : i) a lifetime increase is observed ii) an enhancement of the solar cells efficiency of about 10% on hydrogenated samples. Boron analysis shows the raw material resistivity to be far from its theoretical value. The expected value is approached as a results of hydrogen diffusion. A preliminary discussion of these results is presented.